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| Sb掺杂对SnO_2薄膜光电性能的影响研究 | |
| 作者单位： | ;1.丽水学院理学院;2.河南城建学院数理学院;3.北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室;4.合肥工业大学材料科学与工程学院新型功能材料与器件安徽省重点实验室 |
| 摘 要： | 以乙醇为溶剂采用溶胶-凝胶法制备出了Sb掺杂的SnO_2复合透明导电薄膜,并利用XRD,SEM,紫外-可见分光光度计,四探针电阻仪等测试方法对Sb掺杂的SnO_2复合薄膜的结构和物性进行了研究。结果表明,当Sb掺杂量小于摩尔分数7%时,SnO_2复合薄膜均呈四方金红石型晶体结构;随着Sb掺杂量的增加,薄膜电阻率先降低后增大,当Sb掺杂量为摩尔分数5%时,薄膜电阻率达到最小值1.4×10~(–3)?·cm。在350~700 nm波长范围内,当Sb掺杂量小于摩尔分数7%时,SnO_2复合薄膜的透过率均在80%以上。 |
| 关 键 词： | 溶胶-凝胶法 SnO2薄膜 掺杂 表征 结构 光电性能 |
Effects of Sb doping on optoelectronic properties of the SnO_2 thin film |
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| Keywords: | |