| SMD石英晶体抗高过载性能的研究 |
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| 引用本文： | 王岩,沈瑞琪,臧小为,刘卫.SMD石英晶体抗高过载性能的研究[J].电子元件与材料,2015(3):81-84. |
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| 作者姓名： | 王岩 沈瑞琪 臧小为 刘卫 |
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| 作者单位： | 1. 江苏省科协新技术推广中心，江苏 南京 210041; 南京中电熊猫晶体科技有限公司，江苏 南京 210028
2. 南京理工大学 化工学院,江苏 南京,210094 |
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| 摘 要： | 为了研究SMD石英晶体的抗高过载能力,采用自由式霍普金森压杆对7050、6035、5032、3225、3225(一级加固)、3225(二级加固)六种型号SMD石英晶体进行高过载环境下的动态加载测试。结果表明,在高过载条件下,SMD石英晶体的抗高过载性能随尺寸减小而不断提高,并且产品经历高过载环境后电气参数的不良率逐步降低。未经过加固处理的各型号SMD石英晶体(7050、6035、5032、3225)经过高过载试验(50 000~80 000 g)后,电气参数均出现超差,不能满足武器系统的要求。经过加固处理的SMD石英晶体样品(3225一级加固、3225二级加固)经过高过载试验可以正常工作。
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| 关 键 词： | SMD石英晶体 高过载 霍普金森压杆 结构设计 加固 电气参数 |
Characteristic of SMD quartz crystal under high-g overload |
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| WANG Yan,SHEN Ruiqi,ZANG Xiaowei,LIU Wei.Characteristic of SMD quartz crystal under high-g overload[J].Electronic Components & Materials,2015(3):81-84. |
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| Authors: | WANG Yan SHEN Ruiqi ZANG Xiaowei LIU Wei |
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| Affiliation: | WANG Yan;SHEN Ruiqi;ZANG Xiaowei;LIU Wei;New Technology Promotion Center of Jiangsu CAST;CEC Xtal;School of Chemical Engineering, Nanjing University of Science and Technology; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SMD quartz crystal high-g overload Hopkinson pressure bar structural design reinforcement electrical parameter |
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