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Co、Mn的掺杂形式对低压氧化锌压敏陶瓷电性能的影响
引用本文:张丛春,周东祥,龚树萍,王礼琼.Co、Mn的掺杂形式对低压氧化锌压敏陶瓷电性能的影响[J].电子元件与材料,2000,19(6):7-7,9.
作者姓名:张丛春  周东祥  龚树萍  王礼琼
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
摘    要:研究了Co、Mn的不同掺杂形式对低压ZnO压敏电阻显微结构和电性能的影响。发现以Co(NO3 ) 2 、Mn (NO3 ) 2 溶液代替CoO、MnO2 掺杂 ,可以降低压敏电压 ,增大非线性系数。这主要与钴的高价态有关 ,利于压敏电阻的低压化。

关 键 词:ZnO压敏陶瓷  微观结构  晶粒生长  压敏电压

The effect of Mn(NO3)2, Co(NO3)2 doping on the properties of low-voltage ZnO varistor ceramics
ZHANG Cong-chun,ZHOU Dong-xiang,GONG Shu-ping,WANG Li-qiong.The effect of Mn(NO3)2, Co(NO3)2 doping on the properties of low-voltage ZnO varistor ceramics[J].Electronic Components & Materials,2000,19(6):7-7,9.
Authors:ZHANG Cong-chun  ZHOU Dong-xiang  GONG Shu-ping  WANG Li-qiong
Abstract:The effect of Mn(NO 3) 2, Co(NO 3) 2 substitution for CoO, MnO 2 dopants in the ZnO based low voltage varistor ceramics was discussed. It is found that this replacement can enhance grain growth and decrease breakdown field. In addition, nonlinear coefficient is increased a little, compared with CoO, MnO 2 doped ceramics. They result from the production of higher valence ions in the process. (8 refs.)
Keywords:ZnO varistor ceramics  microstructure  grain growth
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