| AIN薄膜体声波谐振器性能分析 |
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| 引用本文： | 胡光 顾豪爽 张凯 胡宽 吴小鹏. AIN薄膜体声波谐振器性能分析[J]. 电子元件与材料, 2007, 26(11): 44-46 |
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| 作者姓名： | 胡光 顾豪爽 张凯 胡宽 吴小鹏 |
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| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院、铁电压电材料与器件湖北省重点实验室,湖北武汉430062 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（批准号：50572026）武汉市科技攻关计划资助项目（批准号：20061002073） |
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| 摘 要： | 采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型AIN薄膜体声波谐振器。研究了压电层、上电极及支撑层厚度对谐振器性能的影响。测试结果表明，谐振器所用AIN压电薄膜具有（002）择优取向，器件频率特性良好。当上电极、压电层、底电极和支持层的厚度分别为110，2600，110，200nm时，谐振频率为1．759GHz，机电耦合系数3．75％，品质因数79．5。结合Mason等效电路模型模拟分析与实验结果，分析了各层厚度对频率特性的影响机理。
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| 关 键 词： | 电子技术 薄膜体声波谐振器 氮化铝 背空腔型 Mason模型 |
| 文章编号： | 1001-2028（2007）11-0044-03 |
| 修稿时间： | 2007-07-12 |
Characteristics of the AIN film bulk acoustic resonators |
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| HU Guang, GU Hao-shuang, ZHANG Kai, HU Kuan, WU Xiao-peng. Characteristics of the AIN film bulk acoustic resonators[J]. Electronic Components & Materials, 2007, 26(11): 44-46 |
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| Authors: | HU Guang GU Hao-shuang ZHANG Kai HU Kuan WU Xiao-peng |
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