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| 前结背接触晶硅太阳电池发射区研究 | |
| 作者单位： | ;1.渤海大学新能源学院;2.辽宁大学物理学院 |
| 摘 要： | 利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了发射区表面浓度(cE)、结深(xj)及发射区覆盖比率(EF)对P型前结背接触晶硅太阳电池输出特性的影响。结果表明:基于常规低成本P型晶硅衬底(利用直拉法生长,电阻率为1.5?·cm,少子寿命为10μs)的前结背接触太阳电池,其上表面发射区表面浓度及结深对太阳电池的输出特性产生显著影响。上表面发射区表面浓度和结深越大,短波入射光外量子效率越小。当上表面发射区表面浓度为1×1019 cm–3,结深为0.2μm时,电池效率高达20.72%。侧面和下表面发射区表面浓度及结深对太阳电池输出特性的影响较小。但侧面和下表面发射区覆盖比率对太阳电池的输出特性产生显著影响。侧面和下表面发射区覆盖比率越大,太阳电池外量子效率和转换效率越高。 |
| 关 键 词： | 前结背接触 太阳电池 发射区 表面浓度 结深 量子效率 转换效率 |
Emitter study of front junction back contact crystalline silicon solar cells |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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