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铜线键合技术的发展与挑战
引用本文:刘培生,仝良玉,王金兰,沈海军,施建根,罗向东.铜线键合技术的发展与挑战[J].电子元件与材料,2011,30(8):67-71.
作者姓名:刘培生  仝良玉  王金兰  沈海军  施建根  罗向东
作者单位:1. 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏南通226019;南通富士通微电子股份有限公司,江苏南通226006
2. 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏南通,226019
3. 南通富士通微电子股份有限公司,江苏南通,226006
基金项目:江苏省高校自然科学重大基础研究资助项目(No.10KJA40043;No.08KJA510002); 南通大学自然科学研究资助项目(No.09Z051;No.09R23;No.2010K121); 南通市应用研究资助项目(No.K2008024); 国家科技重大专项“02专项”资助项目(No.2009ZX02024-003); 2010年江苏省企业博士集聚计划资助项目
摘    要:铜线键合技术近年来发展迅速,超细间距引线键合是目前铜线键合的主要发展趋势.介绍了铜线键合的防氧化措施以及键合参数的优化,并从IMC生长及焊盘铝挤出方面阐述了铜线键合的可靠性机理.针对铜线在超细间距引线键合中面临的问题,介绍了可解决这些问题的镀钯铜线的性能,并阐述了铜线的成弧能力及面临的挑战.

关 键 词:铜线键合  Pd-Cu线  综述  铜线弧  铝挤出

Development and challenges of copper wire bonding technology
LIU Peisheng,TONG Liangyu,WANG Jinlan,SHEN Haijun,SHI Jiangen,LUO Xiangdong.Development and challenges of copper wire bonding technology[J].Electronic Components & Materials,2011,30(8):67-71.
Authors:LIU Peisheng  TONG Liangyu  WANG Jinlan  SHEN Haijun  SHI Jiangen  LUO Xiangdong
Affiliation:LIU Peisheng1,2,TONG Liangyu1,WANG Jinlan1,SHEN Haijun2,SHI Jiangen2,LUO Xiangdong1(1.Jiangsu Key Laboratory of ASCI Design,Nantong University,Nantong 226019,Jiangsu Province,China,2.Nantong Fujistu Microelectronics Co.,Ltd,Nantong 226006,China)
Abstract:With the fast development in recent years,fine pitch wire bonding is the main trend of copper wire bonding.The measures to overcome Cu oxidation and the optimization of bonding parameters are introduced,and the reliability mechanism from the view of IMC growth and pad Al squeeze are described.According to the new requirements while applying Cu wire to fine pitch wire bonding,the properties of Pd-coated Cu wire are introduced,and the characteristic of Cu wire looping and its challenges are expounded.
Keywords:copper wire bonding  Pd-Cu wire  review  Cu wire looping  Al squeeze  
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