| 靶基距对磁控溅射AZO薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 齐东丽,马学军.靶基距对磁控溅射AZO薄膜性能的影响[J].电子元件与材料,2014(5):17-20. |
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| 作者姓名： | 齐东丽 马学军 |
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| 作者单位： | 沈阳理工大学理学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.11004138);辽宁省杰出青年人才计划资助项目(No.LJQ2011020);沈阳理工大学青年教师科研启动基金资助项目(No.2012QN-05-08) |
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| 摘 要： | 以氧化锌铝陶瓷靶(98%ZnO+2%Al2O3,质量分数)为靶材,利用直流磁控溅射法在载玻片衬底上制备了AZO(ZnO:Al)薄膜样品,研究了靶基距(40~70 mm)对所制备AZO薄膜微观结构及光电性能的影响。结果表明:不同靶基距下制备的薄膜均具有明显的c轴择优取向;随着靶基距的增加,所制AZO薄膜的结晶质量变好,结晶尺寸变大,电阻率降低,禁带宽度变小,且所有薄膜在可见光区的平均透过率均在80%以上。当靶基距为70 mm时所制AZO薄膜的性能最好,其电阻率为8×10–4?·cm,在可见光范围内的平均透过率为82.3%,禁带宽度为3.42 eV。
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| 关 键 词： | 磁控溅射法 AZO薄膜 靶基距 禁带宽度 透过率 光电性能 |
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