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单片集成光发射器频率特性分析
引用本文:李维旦,严志新.单片集成光发射器频率特性分析[J].电子学报,1989,17(2):105-108.
作者姓名:李维旦  严志新
作者单位:中国科学院上海冶金所 (李维旦,王晨),上海科技大学 (严志新),中国科学院上海冶金所(潘慧珍)
摘    要:本文对Tucker等的激光二极管小信号模型作了改进,进而用SPICE程序分析了由异质结晶体管(HBT)电路和激光二极管组成的单片集成光发射器的频率特性。通过分析,提取了适合于目前常规工艺的优化参数,并就此计算了优化后的OEIC频率特性。电路参数优化后的单片集成光发射器的频响接近单个LD的频响。

关 键 词:单片集成  光发射器  频率特性  HBT
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