首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

2-GHz CMOS射频低噪声放大器的设计与测试
引用本文:林敏,王海永,李永明,陈弘毅.2-GHz CMOS射频低噪声放大器的设计与测试[J].电子学报,2002,30(9):1278-1281.
作者姓名:林敏  王海永  李永明  陈弘毅
作者单位:清华大学微电子学研究所,北京100084
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划),G2000036508,
摘    要:本文采用CMOS工艺,针对无线通信系统前端(Front-end)的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试.测试结果表明,该放大器工作在2.04-GHz的中心频率上,3dB带宽约为110MHz,功率增益为22dB,NF小于3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合.

关 键 词:CMOS射频集成电路  低噪声放大器  噪声  
文章编号:0372-2112(2002)09-1278-04

Design and Test of 2-GHz CMOS RF Low Noise Amplifier
LIN Min,WANG Hai-yong,LI Yong-ming,CHEN Hong-yi.Design and Test of 2-GHz CMOS RF Low Noise Amplifier[J].Acta Electronica Sinica,2002,30(9):1278-1281.
Authors:LIN Min  WANG Hai-yong  LI Yong-ming  CHEN Hong-yi
Affiliation:Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084
Abstract:Design and test of a 2-GHz RF low noise amplifier(LNA)implemented with CMOS technology is presented here. Measurement results show this amplifier works well centered at 2.04GHz frequency,with a 22dB forward power gain(S21)and a noise figure(NF) less than 3.3dB.It has a fairly wide 3-dB bandwidth which is 110MHz,suitable for most portable wireless applications.
Keywords:CMOS RFIC  low noise amplifier  noise
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《电子学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《电子学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号