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| a-GaAs薄膜电学及光学性质的研究 | |
| 引用本文： | 杨左娅,陈坤基,吴汝麟.a-GaAs薄膜电学及光学性质的研究[J].电子学报,1987(2). |
| 作者姓名： | 杨左娅 陈坤基 吴汝麟 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 (杨左娅，陈坤基)，南京大学物理系(吴汝麟) |
| 摘 要： | 本文报导了用PECTD法制备的a-GaAs样品的基本电学和光学性质,未掺杂的a-GaAs薄膜在室温下呈N型,相应的电子漂移迁移率为10~(-2)～10~(-3)cm~2/V.s。讨论了a-GaAs薄膜材料组分配比的变化对其电学性质的影响及薄膜的热退火特性。 |
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