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| Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验 | |
| 引用本文： | 陈效建,乔宝文,戚友芹,郝西萍,刘军,王军贤.Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验[J].电子学报,1998,26(11):33-36. |
| 作者姓名： | 陈效建 乔宝文 戚友芹 郝西萍 刘军 王军贤 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 通过分析微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行ＭＭＩＣ精确设计的有效途径，着重分析了在软件中如何建立三类ＭＭＩＣ用元件（有源器件、无源元件及由ＭＭＩＣ工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法，借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ｋｕ波段两级ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与ＣＡＤ设计值十分相近的实验结 |
| 关 键 词： | 赝配高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 低噪声 计算机优化 |
Design and Experimental of Ku Band PHEMT Monolithic Low-Noise Amplifier |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Pseudomorphic high-electron-mobility-transistor (PHEMT) MMIC Low-noise CAD optimization |
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