非晶与多晶硅薄膜电导特性的研究 |
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引用本文: | 刘湘娜,何宇亮,沈宗雍,吴汝麟.非晶与多晶硅薄膜电导特性的研究[J].电子学报,1983(2). |
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作者姓名: | 刘湘娜 何宇亮 沈宗雍 吴汝麟 |
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作者单位: | 南京大学物理系
(刘湘娜,何宇亮,沈宗雍),南京大学物理系(吴汝麟) |
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摘 要: | 本文研究了用常压GVD法和GD(辉光放电)法生长的非晶与多晶硅薄膜电导特性随膜中晶粒大小的变化规律。在临近晶化温度上下范围生长的样品,带尾宽度随膜中晶粒增大而显著地减小;当晶粒增大到约为700~800 (?)范围时,带尾趋于消失。在临近晶化温度以下范围生长的样品,低温下呈现出能隙中局域态传导特征,在临近晶化温度以上生长的样品,在低温下的传导是由多晶晶粒间界区域深缺陷能级引起的。在这两种非晶硅薄膜中含有小于200 (?)的微晶结构时,仍以非晶传导为主要特征,Mott-Davis局域态导电模型仍然适用。
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