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GaAs MESFET平面型变容管高频特性分析
引用本文:孙晓玮,程知群,夏冠群,罗晋生,林金庭.GaAs MESFET平面型变容管高频特性分析[J].电子学报,1999,27(8):128-129.
作者姓名:孙晓玮  程知群  夏冠群  罗晋生  林金庭
作者单位:1. 中国科学院上海冶金研究所,上海,200050
2. 西安交通大学微电子工程系,西安,710049
3. 南京电子器件研究所,南京,200016
摘    要:本文分析了用于GaAs MMIC调频器件MESFET平面型变容管的微波特性,讨论了器件几何结构与直流参数、S参数之间的关系.重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响,给出了变容管变电容比与器件几何尺寸.

关 键 词:MESFET平面型变容管  微波S参数

High Frequency Property Analysis for GaAs MESFET Planar Varactor
Sun Xiaowei,Cheng Zhiqun,Xia Guanqun,Luo Jinsheng,Lin Jinting.High Frequency Property Analysis for GaAs MESFET Planar Varactor[J].Acta Electronica Sinica,1999,27(8):128-129.
Authors:Sun Xiaowei  Cheng Zhiqun  Xia Guanqun  Luo Jinsheng  Lin Jinting
Abstract:Microwave performance analysis of GaAs MESFET planar varactor for tuning frequency function is presented.The device geometry construction,the DC parameters and the S parameters are discussed.The series resistance influence on the microwave performance has been emphatically investigated.
Keywords:GaAs MMIC
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