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| 2.9GHz 0.35μm CMOS低噪声放大器 | |
| 引用本文： | 陶蕤,王志功,谢婷婷,陈海涛.2.9GHz 0.35μm CMOS低噪声放大器[J].电子学报,2001,29(11):1530-1532. |
| 作者姓名： | 陶蕤 王志功 谢婷婷 陈海涛 |
| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,69825101, |
| 摘 要： | 随着特征尺寸的不断减小,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50Hz以上,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能,越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路,本文给出了一个利用0．35μmCMOS工艺实现的2．9GHz单片低噪声放大器,放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成。在3伏电源下,工作电流为8mA,功率增益大于10dB,输入反射小于－12dB. |
| 关 键 词： | CMOS工艺 低噪声放大器 螺旋电感 |
| 文章编号： | 0372-2112(2001)11-1530-03 |
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