| 光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析 |
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| 引用本文： | 郑云光,郭维廉,李树荣. 光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析[J]. 电子学报, 1998, 26(8): 105-107,128 |
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| 作者姓名： | 郑云光 郭维廉 李树荣 |
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| 作者单位： | 天津大学电子工程系!天津，300072，天津大学电子工程系!天津，300072，天津大学电子工程系!天津，300072 |
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| 摘 要： | 考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特性，设计和制造了在光强度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ，
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| 关 键 词： | 负阻晶体管 光电负阻晶体管 光电晶体管 |
光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析 |
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| Zheng Yunguang, Guo Weilian, Li Shurong. 光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析[J]. Acta Electronica Sinica, 1998, 26(8): 105-107,128 |
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| Authors: | Zheng Yunguang Guo Weilian Li Shurong |
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| Abstract: | In consideration of the features of the negative inpedance transistor NEGIT, the pnoto-negative impedance transistor PNEGIT has been designed and fabricated and its characteristics have been analyzed theoretically in detail. Under the illumination of tungsten filament lamp of the light intensity of 100lx and 1000lx, the output current is up to 0. 6mA and 18mA respectively. |
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| Keywords: | Negative impedance transistor Photo-negative impedance transistor (PNEGIT) Photo-transistor |
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