| Si／SiGe／Si双异质结晶体管异质结势垒效应（HBE）研究 |
| |
| 引用本文： | 张万荣 曾峥. Si／SiGe／Si双异质结晶体管异质结势垒效应（HBE）研究[J]. 电子学报, 1996, 24(11): 43-47 |
| |
| 作者姓名： | 张万荣 曾峥 |
| |
| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系微电子学研究所 |
| |
| 摘 要： | 本文研究了不同温度下Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ双异质结晶体管异质结势垒效应，研究发现，集电结处价带能量差△Ｅｖ越大，ＨＢＥ越明显，在给定的△Ｅｖ下，随着温度的降低，ＨＢＥ越显著。
|
| 关 键 词： | 应变层 势垒 异质结 双极晶体管 锗化硅 |
Heterojunction Barrier Effects in Si/SiGe/Si Double Heteroiunction Bipolar Transistor |
| |
| hang Wanrong,Zeng Zheng,Luo Jinsheng. Heterojunction Barrier Effects in Si/SiGe/Si Double Heteroiunction Bipolar Transistor[J]. Acta Electronica Sinica, 1996, 24(11): 43-47 |
| |
| Authors: | hang Wanrong Zeng Zheng Luo Jinsheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | SiGe strain layer Barrier Heterojunction bipolar transistor(HBT)Z |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
