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| 晶化对掺杂GD非晶硅薄膜导电性能的作用 | |
| 引用本文： | 颜永红,何宇亮,吴汝麟.晶化对掺杂GD非晶硅薄膜导电性能的作用[J].电子学报,1984(5). |
| 作者姓名： | 颜永红 何宇亮 吴汝麟 |
| 作者单位： | 南京大学固体物理研究所 (颜永红，何宇亮)，南京大学固体物理研究所(吴汝麟) |
| 摘 要： | 在a-Si:H薄膜中进行置换式硼、磷掺杂能引起薄膜结构的变化。在一定衬底温度下,增大r.f淀积功率能使薄膜发生由非晶向微晶及类多晶结构的转化,晶化了的非晶硅薄膜的室温电阻率又可下降三个数量级,其电导激活能也大幅度下降。从而使薄膜的导电性能得到提高。只有在类多晶结构的硅膜中才能获得更高的电导率。 |
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