绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术

利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势，其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求；然后，探讨了绝缘体上硅功率半导体单芯片集成的工艺流程和器件类型；接着，总结了高压横向IGBT器件技术、续流二极管器件技术、LDMOS器件技术的特征和效果；此外，还讨论了单片智能功率芯片的相关可靠性问题，包括高压互连线效应和低温雪崩不稳定.本课题组在功率半导体集成型器件的电流能力、关断速度、短路承受能力、反向恢复峰值电流、安全工作区、高压互连线屏蔽、低温可靠性等关键特性优化或可靠性提升方面进行了自主创新，构建了基于绝缘体上硅的功率半导体单芯片集成技术，并成功研制了单片智能功率芯片.