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一个128×128CMOS快照模式焦平面读出电路设计
引用本文:陈中建,李晓勇,喻松林,韩建忠,吉利久.一个128×128CMOS快照模式焦平面读出电路设计[J].电子学报,2001,29(11):1454-1457.
作者姓名:陈中建  李晓勇  喻松林  韩建忠  吉利久
作者单位:1. 北京大学微电子所,北京 100871;2. 华北光电技术研究所,北京 100015
摘    要:本文介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路新结构——DCA(Direct-injection Charge Amplifier)结构.该结构像素电路仅用4个MOS管,采用特殊的版图设计并用PMOS管做复位管,既可保证像素内存储电容足够大,又可避免复位电压的阈值损失,从而提高了读出电路的电荷处理能力.由于像素电路非常简单,且该结构能有效消除列线寄生电容Cbus的影响,因此该结构非常适用于小像素、大规模的焦平面读出电路.采用DCA结构和1.2μm双硅双铝(DPDM-Double-Poly Double-Metal)标准CMOS工艺设计了一个128×128规模焦平面读出电路试验芯片,其像素尺寸为50×50μm2,电荷处理能力达11.2pC.本文详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序,并给出了精确的HSPICE仿真结果和试验芯片测试结果.

关 键 词:焦平面  读出电路  直接注入  快照  DCA结构  
文章编号:0372-2112(2001)11-1454-04
收稿时间:2000-12-24
修稿时间:2000年12月24
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