首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

0.13 μm CMOS超宽带低噪声放大器的设计
引用本文:申华,吕昕,多新中,杨立吾.0.13 μm CMOS超宽带低噪声放大器的设计[J].电子设计应用,2008(10).
作者姓名:申华  吕昕  多新中  杨立吾
作者单位:1. 北京理工大学信息科学与技术学院
2. 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘    要:本文应用Cadence Virtuoso软件平台设计了一个电阻并联交流反馈式共源共栅超宽带低噪声放大器,并采用中芯国际0.13μm CMOS工艺实现了样片。测试结果给出,在供电电压为1.5V,功耗为22.5mW的情况下,芯片最大增益为13.6dB,最小噪声系数为3.6dB,带内噪声系数小于6dB,输入三阶互调截点(IIP3)为-3dBm。测试结果与仿真结果非常接近。

关 键 词:超宽带低噪声放大器

0.13μm CMOS UWB LNA Design
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号