| InGaN基高压LED和传统大功率LED的发光效率比较 |
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| 引用本文： | 姚琦,林思棋,郭自泉,陈国龙,张纪红,吕毅军.InGaN基高压LED和传统大功率LED的发光效率比较[J].光电技术应用,2015(2):37-41. |
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| 作者姓名： | 姚琦 林思棋 郭自泉 陈国龙 张纪红 吕毅军 |
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| 作者单位： | 厦门大学电子科学系，福建 厦门 361005; 福建省半导体照明工程技术研究中心，福建 厦门 361005 |
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| 基金项目： | 国家863项目(2013AA03A107)；福建省产学研重大科技项目，福建省重点科技项目 |
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| 摘 要： | 主要从三个不同角度探究并分析了基于In Ga N材料的高压LED的发光效率优于传统大功率LED的原因。为了保证实验结论的可靠性,文中所采用的实验样品具有相同的芯片尺寸和材料以及相同的封装结构。经过大量的实验证明,更均匀的电流分布和小芯片间隙的出光,使得高压LED的发光效率优于传统大功率LED。结果显示,在相同的1 W输入功率下,高压LED的发光效率比传统大功率LED高大约4.5%。
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| 关 键 词： | 高压LED 传统大功率LED 发光效率 电流密度 结温 |
Comparison of Luminous Efficiency of InGaN-based High-voltage LED with Traditional High Power LED |
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| YAO Qi,LIN Si-qi,GUO Zi-quan,CHEN Guo-long,ZHANG Ji-hong,LV Yi-jun.Comparison of Luminous Efficiency of InGaN-based High-voltage LED with Traditional High Power LED[J].Electro-Optic Technology Application,2015(2):37-41. |
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| Authors: | YAO Qi LIN Si-qi GUO Zi-quan CHEN Guo-long ZHANG Ji-hong LV Yi-jun |
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| Affiliation: | YAO Qi;LIN Si-qi;GUO Zi-quan;CHEN Guo-long;ZHANG Ji-hong;LV Yi-jun;Department of Electronic Science, Fujian Engineering Research Centre for Semiconductor Lighting, Xiamen University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-voltage light-emitting diode (LED) traditional high power (THP) LED luminous efficiency current density junction temperature |
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