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| 多晶硅集成微系统：技术及应用 | |
| 引用本文： | 贾宏光.多晶硅集成微系统：技术及应用[J].光机电信息,1999,16(11):7-14. |
| 作者姓名： | 贾宏光 |
| 摘 要： | 多晶硅微结构与ＣＭＯＳ电路制造工艺的结合能够制造出单片集成惯性传感器。ＬＰＣＶＤ多晶硅的沉积，掺杂，退火同其机械特性，如残余应力，应力梯度，杨氏模量之间可以很好地建立其相关性。最近的工作表明为减少静摩擦力而进行的表面钝化能够减小多晶硅微结构在湿法刻蚀干燥过程或使用时由于机械振动而粘接在邻近表面或残渣的趋势。Σ－Δ控制策略对线性化闭环传感器来说很有吸引力，同时在ＣＭＯＳ中也是易于实现的。在单一层面上 |
| 关 键 词： | 多晶硅 CMOS 微结构 集成微系统 |
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