SiO2/Si系开管扩镓工艺对器件性能的改善 |
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引用本文: | 刘秀喜,林玉松.SiO2/Si系开管扩镓工艺对器件性能的改善[J].半导体杂志,1990,15(1):17-24. |
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作者姓名: | 刘秀喜 林玉松 |
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摘 要: | 本文采用SiO2/Si系开管扩镓工艺,消除了合金点和腐蚀抗,扩散均匀性,重复性和一致性较好,该工艺用于生产高反压晶体管和晶闸管,能显著的改善器件性能,扩散质量和电气性能均优于现行的硼铝涂层及闭管镓(或铝镓)扩散工艺,根据在裸系Si和SiO2/Si系中镓的扩散行为,对镓扩散质量进行了分析。
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关 键 词: | 二氧化硅 硅 开管 器件性能 晶体管 晶闸管 扩镓工艺 |
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