| 双极——MOS功率半导体器件的发展动态 |
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| 引用本文： | 金湘亮,曾云.双极——MOS功率半导体器件的发展动态[J].半导体杂志,2000,25(3):38-43. |
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| 作者姓名： | 金湘亮 曾云 |
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| 作者单位： | 湖南大学应用物理系!湖南长沙410082 |
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| 摘 要： | 比较了双极－－ＭＯＳ功率半导体器件的五种基本构成方式；然后介绍该类器件发展的最新动态，着重阐述几种最新器件；最后分析预测了这类器件发展的方向。
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| 关 键 词： | MOSFET 功率器件 半导体器件 功率晶体管 |
Development of BIMOSFET Power Devices |
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| Authors: | JIN Xiang-liang ZENG Yun CHENG Shi-ming ZHANG Hong-nan |
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| Abstract: | This paper summarizes and compares five basic structures and characteristics of BIMOSFET.The new development on BIMOSFET are introduced and the emphasis on a few of recent BIMOSFET devices is placed. At last the author analysis's and forecasts the development direction of BIMOSFET. |
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| Keywords: | Bipolar MOSFET Power Devices |
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