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| 钝化膜抗γ辐照的研究 | |
| 引用本文： | 张济龙.钝化膜抗γ辐照的研究[J].半导体杂志,1997,22(4):17-20. |
| 作者姓名： | 张济龙 |
| 作者单位： | 西南农业大学基础科技学院物理系 |
| 摘 要： | 研究了几种不同的钝化膜的γ辐照特性，初步揭示单纯的ＳｉＯ２膜不具备抗γ辐照的能力，厚度为１００ｎｍ涂有聚酰亚胺的ＳｉＯ２膜当辐照剂量小于１０＾６拉德（Ｓｉ）时具有良好的抗γ辐照作用。同时指出了四甲基氢氧化胺对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面也有影响。 |
| 关 键 词： | 钝化膜 半导体器件 抗电子辐射 |
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