| 氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究 |
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| 引用本文： | 于映,陈抗生.氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究[J].真空电子技术,1996(2):16-18. |
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| 作者姓名： | 于映 陈抗生 |
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| 作者单位： | 浙江大学信息与电子工程系 |
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| 摘 要： | 采用ＰＥＣＶＤ法，反应温度为２５０℃，反应气体为ＮＨ３，ＳｉＨ４，在抛光硅片上沉积０．２～０．４μｍ厚的氮化硅薄膜。对这种Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光学性能和电学性能进行了测试，其光学折射率为１．８７５，电阻率及击穿场强分别为８×１０１６Ω·ｃｍ及１×１０７Ｖ／ｃｍ，并用ＦＴＩＲ谱分析了薄膜的化学结构。
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| 关 键 词： | 氮化硅薄膜，光学性能，电学性能 |
Properties of Plasma-enhanced Chemical-vapor-deposited Silicon Nitride Thin Films |
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| Yu Ying, Chen Kangsheng.Properties of Plasma-enhanced Chemical-vapor-deposited Silicon Nitride Thin Films[J].Vacuum Electronics,1996(2):16-18. |
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| Authors: | Yu Ying Chen Kangsheng |
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| Keywords: | Silicon nitride thin films Optical properties Electrical properties |
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