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高强度Mo-Mn金属化工艺研究
引用本文:荀燕红,陈丽梅.高强度Mo-Mn金属化工艺研究[J].真空电子技术,2006(3):61-63.
作者姓名:荀燕红  陈丽梅
作者单位:北京真空电子技术研究所,北京,100016
基金项目:致谢:本实验在实验过程中得到了八室领导及各班组同志的帮助,在此表示衷心感谢.
摘    要:通过改变Mo-Mn法工艺条件来获得高致密、高强度的金属化层,以提高陶瓷金属封接件的封接强度。

关 键 词:粉体粒度  高致密  金属化层  封接强度
文章编号:1002-8935(2006)03-0061-03

Study on High Strength Mo-Mn Metallization Processing
XUN Yan-hong,CHEN Li-mei.Study on High Strength Mo-Mn Metallization Processing[J].Vacuum Electronics,2006(3):61-63.
Authors:XUN Yan-hong  CHEN Li-mei
Affiliation:Beijing Vacuum Electronics Research Institute, Beijing 100016, China
Abstract:The Mo-Mn metallization processing was developed. The high density and high uniformity metallized layers were obtained by the methods of improving technological process and the ceramic-metal sealing strength.
Keywords:Powder size  High density metallized layer  Sealing strength
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