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栅控行波管阴栅距离的调整方法
引用本文:张宏志,蔡绍伦.栅控行波管阴栅距离的调整方法[J].真空电子技术,2003(5):52-53.
作者姓名:张宏志  蔡绍伦
作者单位:北京真空电子技术研究所,北京,100016
摘    要:针对迭片式平封电子枪结构中,栅控行波管的阴栅距离受电子枪热胀冷缩影响较大,进而严重影响电子枪性能的问题,本文提出了一种理论,它有利于电子枪快速准确地调整阴栅装配距离,以确保优良的电子枪性能得到保证。

关 键 词:栅控行波管  迭片平封瓷封件  阴栅距离
文章编号:1002-8935(2003)05-0052-02
修稿时间:2003年1月21日

An Effective Method for Controlling the Cathode-Grid Distance in Grid-Controlled TWTs
Abstract:
Keywords:Grid-controlled TWT  Stack ceramic to metal seal  Cathode-grid distance
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