| CdS纳米薄膜的水浴法制备与表征 |
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| 引用本文： | 王建波,娄朝刚,张晓兵,雷威.CdS纳米薄膜的水浴法制备与表征[J].真空电子技术,2006(1):22-25. |
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| 作者姓名： | 王建波 娄朝刚 张晓兵 雷威 |
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| 作者单位： | 东南大学,电子工程系,江苏,南京,210096 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;高等学校博士学科点专项科研项目;教育部留学基金;东南大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | CdS是一种直接能隙半导体，其带隙约为2．42eV，是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。化学水浴法沉积CdS薄膜具有工艺简单，成本低廉，成膜均匀、致密以及可大面积生产等优点。本文通过对化学水浴法沉积CdS薄膜的研究，阐述了CdS膜的生成和生长过程及其机理，并不断优化此方法中的各种工艺参数，得到了适合做铜铟镓硒薄膜太阳能电池过渡层的CdS薄膜，并对该薄膜的形貌、结构和性能进行了分析。
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| 关 键 词： | CdS薄膜 水浴法 太阳能电池 |
| 文章编号： | 1002-8935(2006)01-0022-04 |
| 收稿时间： | 2005-12-15 |
| 修稿时间： | 2005年12月15 |
Characterization and Fabrication of CdS Nanofilms by Chemical Bath Deposition |
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| WANG Jian-bo,LOU Chao-gang,ZHANG Xiao-bing,LEI Wei.Characterization and Fabrication of CdS Nanofilms by Chemical Bath Deposition[J].Vacuum Electronics,2006(1):22-25. |
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| Authors: | WANG Jian-bo LOU Chao-gang ZHANG Xiao-bing LEI Wei |
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| Affiliation: | Department of Electronic Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, China |
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| Abstract: | CdS is the direct-gap semiconductor with a band gap of 2.42 eV.It is suitable for window layer and buffer layer material of solar cells.The CdS film fabrication by chemical bath deposition(CBD) with low cost is simple and effective and the film is uniform and smooth.In this paper we studied the CdS film fabrication by CBD and expatiated the reaction ion mechanism.By optimizing the processing parameters,we have got CdS thin films that are suitable for buffer layer material of CIGS solar cells,and also analyzed the surface morphology,microstructure and property of the films. |
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| Keywords: | CdS thin film Chemical bath deposition Solar cell |
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