| SRAM 6T存储单元电路的PSPICE辅助设计 |
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| 引用本文： | 张小波,焦慧芳,贾新章.SRAM 6T存储单元电路的PSPICE辅助设计[J].电子产品可靠性与环境试验,2005,23(6):54-57. |
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| 作者姓名： | 张小波 焦慧芳 贾新章 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安,710071;西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安,710071;信息产业部电子第研究五所,广东,广州,510610 |
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| 摘 要： | 首先从双稳态电路入手，分析了SRAM 6T单元电路的工作原理和设计要求。基于实际工艺下MOS晶体管的SPICE模型，给出了一组可行的设计参数。用PSPICE对设计出的6T存储单元进行了功能验证。
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| 关 键 词： | 静态随机存储器 双稳态 单元电路 尺寸 仿真 |
| 文章编号： | 1672-5468(2005)06-0054-04 |
| 修稿时间： | 2005年5月26日 |
PSPICE aided design of SRAM 6T storage cell |
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| ZHANG Xiao-bo,JIAO Hui-fang,JIA Xin-zhang.PSPICE aided design of SRAM 6T storage cell[J].Electronic Product Reliability and Environmental Testing,2005,23(6):54-57. |
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| Authors: | ZHANG Xiao-bo JIAO Hui-fang JIA Xin-zhang |
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| Abstract: | A CMOS SRAM(static random access memory)6T storage cell was analyzed and the PSPICE aided design method was provided.The SRAM basic storage cell was discussed,and the basic principles and design rules of SRAM cell circuit were described.Finally,The simulation results of PSPICE was presented. |
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| Keywords: | SRAM bistable cell circuit size simulation |
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