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| GaAs PHEMT器件的失效模式及机理 | |
| 引用本文： | 许燕,黄云,邓文基.GaAs PHEMT器件的失效模式及机理[J].电子产品可靠性与环境试验,2007,25(6):19-22. |
| 作者姓名： | 许燕 黄云 邓文基 |
| 作者单位： | 1. 华南理工大学物理科学与技术学院,广东,广州,510640;信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610 2. 信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610 3. 华南理工大学物理科学与技术学院,广东,广州,510640 |
| 摘 要： | 归纳了GaAs PHEMT器件的几种常见失效模式,并从6个方面分析了PHEMT器件的失效机理:热电子应力退化、氢效应、2DEG结构退化、欧姆接触退化、肖特基接触退化和电迁移. |
| 关 键 词： | 砷化镓晶体管 失效模式 失效机理 |
| 文章编号： | 1672-5468（2007）06-0019-04 |
| 收稿时间： | 2007-08-30 |
| 修稿时间： | 2007-09-12 |
Failure Modes and Mechanisms of GaAs PHEMTs |
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| XU Yan,HUANG Yun,DENG Wen-ji.Failure Modes and Mechanisms of GaAs PHEMTs[J].Electronic Product Reliability and Environmental Testing,2007,25(6):19-22. | |
| Authors: | XU Yan HUANG Yun DENG Wen-ji |
| Abstract: | The basic failure modes of GaAs PHEMTs are summarized. Six failure mechanisms are presented, including hot electron degradation, hydrogen effect, the 2DEG structure degradation, ohmic contact degradation, schottky contact degradation and electron migration. |
| Keywords: | GaAs transistor failure mode failure mechanism |
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