| 增益自适应高频低噪声放大器的单片集成设计研究 |
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| 引用本文： | 孙宇,陈华君,吴孙桃,郭东辉.增益自适应高频低噪声放大器的单片集成设计研究[J].现代电子技术,2008,31(11):56-60. |
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| 作者姓名： | 孙宇 陈华君 吴孙桃 郭东辉 |
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| 作者单位： | 厦门大学,福建,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 高频低噪声放大器(LNA)是无线通讯设备关键器件之一。由于无线通讯设备特别是移动通讯设备使用环境的条件限制,往往需要LNA器件具有自适应增益功能,以保证接收信号的稳定性。拟设计一款具有自适应增益控制的高频LNA单片集成电路,以TSMC 0.18μm的RF-CMOS器件模型和工艺参数,给出一个增益范围在0~17dB、噪声抑制比为0.2dB,适用于DCS1800手机中的1.8GHz增益自适应CMOS放大器电路。
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| 关 键 词： | 射频集成电路 低噪声放大器 增益自适应 CMOS |
| 文章编号： | 1004-373X(2008)11-056-04 |
| 修稿时间： | 2007年12月10 |
Research on the Monolithic Circuit Design of High-frequency LNA with AGC |
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| SUN Yu,CHEN Huajun,WU Suntao,GUO Donghui.Research on the Monolithic Circuit Design of High-frequency LNA with AGC[J].Modern Electronic Technique,2008,31(11):56-60. |
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| Authors: | SUN Yu CHEN Huajun WU Suntao GUO Donghui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF-IC low noise amplifier adaptive gain control CMOS |
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