| DMOS Vfsd之背金工艺窗口研究 |
| |
| 引用本文： | 陈定平,张忠华,李 理,赵圣哲.DMOS Vfsd之背金工艺窗口研究[J].现代电子技术,2014(8):72-74. |
| |
| 作者姓名： | 陈定平 张忠华 李 理 赵圣哲 |
| |
| 作者单位： | ;1.深圳方正微电子有限公司 |
| |
| 摘 要： | 一些DMOS产品的Vfsd上限要求做得很低,这样背金工艺的窗口就非常窄、经常发生Vfsd超上限的事件。如何拓宽背金工艺窗口、满足特殊DMOS产品对Vfsd的苛刻要求,在此研究了背面减薄、背面硅腐蚀和背面注入的主要工艺关键参数对Vfsd的影响。比较减薄机研磨轮目数后发现,研磨轮目数决定背面粗糙度,进而影响背面SI与背面金属的接触电阻和Vfsd;比较硅腐蚀有、无活性剂后发现,加了活性剂的背面硅腐蚀速率温和、均匀性好,可减缓切入式减薄机的Vfsd扇形分布、Vfsd均匀性明显改善。背注能量拉偏后发现,降低背注能量可降低Vfsd的Mean值。综合以上机理分析和实验结果,找到了背面最佳工艺条件,大大拓宽了背金工艺窗口。在最佳背面工艺条件下,这些特殊的DMOS产品Vfsd超上限几率从1.5%下降到0.1%以下、良率平均上升4%,此背金最佳工艺可以成为DMOS生产的标准工艺。
|
| 关 键 词： | DMOS Vfsd超上限 背面减薄 背面硅腐蚀 表面活性剂 背面注入 |
Stduy of DMOS Vfsd′s backside process margin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
