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带有快速启动的高精密低噪声CMOS带隙基准
引用本文:张强,陈贵灿,田泽,王进军,李攀.带有快速启动的高精密低噪声CMOS带隙基准[J].现代电子技术,2007,30(20):150-153.
作者姓名:张强  陈贵灿  田泽  王进军  李攀
作者单位:1. 西北大学,信息学院,陕西,西安,710127
2. 西安交通大学,微电子研究所,陕西,西安,710049
基金项目:陕西省科技攻关计划;美国应用材料创新基金
摘    要:提出了一种新颖的带有快速启动的高精密、低噪声CMOS带隙基准电压源。RC滤波电路的引入降低了基准在高频处的噪声、增加了输出基准的电源抑制比,快速启动电路的引入改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题,并且为了使基准在电源上电的过程中能够正常的工作而增加了软启动电路。采用UMC 0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSpice模拟表明基准具有较高的精度和较低的噪声,电源抑制比PSRR约为-80 dB。此外,由于快速启动电路的存在使得基准的建立时间从20 ms降至70μs。

关 键 词:带隙基准  低噪声  电源抑制比  软启动电路  快速启动电路
文章编号:1004-373X(2007)20-150-04
收稿时间:2007-03-17
修稿时间:2007年3月17日

High- Precision Low- Noise CMOS Bandgap Reference with a Fast Start- up Circuit
ZHANG Qiang,CHENG Guican,TIAN Ze,WANG Jinjun,LI Pan.High- Precision Low- Noise CMOS Bandgap Reference with a Fast Start- up Circuit[J].Modern Electronic Technique,2007,30(20):150-153.
Authors:ZHANG Qiang  CHENG Guican  TIAN Ze  WANG Jinjun  LI Pan
Abstract:
Keywords:CMOS
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