AMT控制器电磁发射干扰特性研究 |
| |
引用本文: | 王彪,王天楠,张莹.AMT控制器电磁发射干扰特性研究[J].现代电子技术,2024(6):75-78. |
| |
作者姓名: | 王彪 王天楠 张莹 |
| |
作者单位: | 中国北方车辆研究所 |
| |
摘 要: | 基于GJB 151B—2013中对军用设备和分系统的电磁发射要求,以某型号AMT控制器为研究对象,进行AMT控制器电磁发射干扰特性分析,开展CE102电源线传导发射试验和RE102电场辐射发射试验。试验结果表明:试验用AMT控制器的电源线传导发射和电场辐射发射均满足GJB 151B—2013的电磁发射要求,电源正线和电源负线的电磁传导发射情况基本一致,均存在以50 Hz为基波的多次谐波干扰,在50 Hz处安全裕度最小,约为10 dBμV;经屏蔽处理后的AMT控制器在垂直极化和水平极化两种天线状态下的电磁辐射情况基本一致。为进一步提高AMT控制器电磁发射干扰的安全裕度,既要在电源线端口处采取以50 Hz为基波的多次谐波干扰抑制措施,同时还要对AMT控制器上的孔缝、接口以及线缆进一步采取屏蔽防护措施。
|
关 键 词: | AMT控制器 电磁发射 谐波干扰 CE102试验 RE102试验 干扰抑制 |
|
|