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材料制备工艺
摘    要:通过分子束外延生长Ⅲ-Ⅴ半导体过程中形态的反馈控制(见0103366)Si(Ⅲ)衬底上 A1GaN/GaN 高电子迁移率晶体管的微波性能(见0102006)硅基 PZT 铁电薄膜的界面和表面研究(见0101847)CSD 法制备 PZT/Bi_2Ti_2O_7薄膜的研究(见0101846)

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