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| 基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计 | |
| 引用本文： | 易新敏,王向展,杨谟华.基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计[J].今日电子,2006(1):72-73,75. |
| 作者姓名： | 易新敏 王向展 杨谟华 |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院 |
| 摘 要： | 随着移动通信技术的发展，射频（RF）电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器（VCO），是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件，然而在用实际工艺实现电路时，会发现变容二极管的品质因数通常都很小，这将影响到电路的性能。于是，人们便尝试采用其它可以用CMOST艺实现的器件来代替一般的变客二极管，MOS变容管便应运而生了。 |
| 关 键 词： | CMOS 压控振荡器 变容管 射频 变容二极管 移动通信技术 反向偏压 品质因数 |
Design of RF VCO based on accumulation-mode MOS varactor |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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