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| 采用非硅氧化物可以克服硅CMOS集成电路缩小尺寸过程中栅氧化层减薄所带来的 | |
| 引用本文： | M＼yrva,R 王正华.采用非硅氧化物可以克服硅CMOS集成电路缩小尺寸过程中栅氧化层减薄所带来的[J].今日电子,1999(9):13-14. |
| 作者姓名： | M＼yrva R 王正华 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 硅CMOS集成电路 非硅氧化物 栅氧化层 IC |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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