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激光辐射对供体-受体型聚合物忆阻器性能的影响
引用本文:袁帅,董瑞新,刘汝新,闫循领.激光辐射对供体-受体型聚合物忆阻器性能的影响[J].中国激光,2019(5):343-348.
作者姓名:袁帅  董瑞新  刘汝新  闫循领
作者单位:聊城大学物理科学与信息工程学院;山东省光通信科学与技术重点实验室
基金项目:国家自然科学基金(61574071);山东省泰山学者专项建设项目基金
摘    要:利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩、噻吩单元组成的供体-受体类型半导体聚合物IPDT构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO,该器件具有明显的忆阻特性,开/关电压为8 V/-7.5 V,高低电阻比达到了10^2以上。研究了不同波长激光的照射对器件忆阻性能的影响,结果表明:波长为632 nm、功率为3 mW的激光对忆阻性能的影响显著;照射60 s后,器件电流的走向发生了反转,开/关电压降低到-2.2 V/1.3 V,高低电阻比提高到10^4,电流降低了一个量级,且电流-电压曲线的涨落减小,有效降低了器件的功耗;稳定性循环测试次数由未经激光照射时的2000提高到3500,提高了数据读取的准确性和稳定性。

关 键 词:材料  供体-受体聚合物  忆阻器  激光调控

Effect of Laser Irradiation on Performances of Donor-Acceptor-Type Copolymer Memristor
Yuan Shuai,Dong Ruixin,Liu Ruxin,Yan Xunling.Effect of Laser Irradiation on Performances of Donor-Acceptor-Type Copolymer Memristor[J].Chinese Journal of Lasers,2019(5):343-348.
Authors:Yuan Shuai  Dong Ruixin  Liu Ruxin  Yan Xunling
Affiliation:(School of Physics Science and Information Technology , Liaocheng University , Liaocheng , Shandong 252059, China;Shandong Key Laboratory of Optical Com m unication Science and Technology , Liaocheng , Shandong 252059, China)
Abstract:Yuan Shuai;Dong Ruixin;Liu Ruxin;Yan Xunling(School of Physics Science and Information Technology , Liaocheng University , Liaocheng , Shandong 252059, China;Shandong Key Laboratory of Optical Com m unication Science and Technology , Liaocheng , Shandong 252059, China)
Keywords:materials  donor-acceptor-type polymer  memristor  laser control
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