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| 高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列 | |
| 引用本文： | 崔锦江,宁永强,张岩,孔鹏,刘光裕,张星,王贞福,史晶晶,李特,秦莉,刘云,王立军. 高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列[J]. 中国激光, 2009, 36(8). DOI: 10.3788/CJL20093608.1941 |
| 作者姓名： | 崔锦江 宁永强 张岩 孔鹏 刘光裕 张星 王贞福 史晶晶 李特 秦莉 刘云 王立军 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;中国科学院研究生院,北京,100039 2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033 3. 中国科学院研究生院,北京,100039 |
| 摘 要： | 报道了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)阵列.通过调制阵列中各单元直径以及单元间距,得到1 kW/cm2的高功率密度和高斯远场分布,且在工作电流0～6 A内远场发散角均小于20°.阵列山直径分别为200 μm,150 μm和100 μm成中心对称分布的5个单元组成,单元圆心间距分别为250μm和200μm.在室温连续工作条件下.阵列在注入电流4 A时达最大输出功率880 mw,斜率效率为0.3 W/A,具有0.56 A的低阈值电流,微分电阻0.09 Ω.与具有相同出光面积的4×4二维阵列相比,这种新型阵列在出光功率、阈值电流、光谱特性及远场分布等方面均具有优越性.模拟了阵列各单元叠加后的近场远场光强分布,结果表明得到的新型阵列的远场分布与实验结果吻合较好. |
| 关 键 词： | 激光器 垂直腔面发射激光器 阵列 远场分布 |
High Beam Quality Novel Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array |
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| Cui Jinjiang,Ning Yongqiang,Zhang Yan,Kong Peng,Liu Guangyu,Zhang Xing,Wang Zhenfu,Shi Jingjing,Li Te,Qin Li,Liu Yun,Wang Lijun. High Beam Quality Novel Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array[J]. Chinese Journal of Lasers, 2009, 36(8). DOI: 10.3788/CJL20093608.1941 | |
| Authors: | Cui Jinjiang Ning Yongqiang Zhang Yan Kong Peng Liu Guangyu Zhang Xing Wang Zhenfu Shi Jingjing Li Te Qin Li Liu Yun Wang Lijun |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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