| 基于AlN膜钝化层的高功率垂直腔面发射激光器 |
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| 引用本文： | 钟钢,侯立峰,王晓曼.基于AlN膜钝化层的高功率垂直腔面发射激光器[J].中国激光,2011(9). |
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| 作者姓名： | 钟钢 侯立峰 王晓曼 |
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| 作者单位： | 长春理工大学电子信息工程学院;中国人民解放军装甲兵技术学院电子工程系; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60676059)资助课题 |
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| 摘 要： | 高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基于AlN膜钝化层的980 nm高功率VCSEL器件。对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明,采用AlN膜钝化层可以改善器件内部的温度分布,降低器件的热阻,提高器件的散热能力;采用相同的外延片与工艺实验制备了出光孔径同为200μm的AlN膜钝化层和传统的SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件;对两种不同的钝化层的器件性能进行了实验对比测试,结果表明AlN膜钝化层的高功率VCSEL器件室温下的最大输出功率可达470 mW,比同温度下SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件的最大输出功率高140 mW。AlN膜钝化层的高功率VCSEL在外界温度80℃时,仍能正常激射,具有良好的温度适应性与光电性能。
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| 关 键 词： | 激光器 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 AlN膜 钝化层 |
High-Power Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser with AlN Film Passivation Layer |
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| Abstract: | Self-heating in high-power vertical-cavity surface-emitting lasers(VCSELs) is an important influence factor for device characteristics.In order to improve device heat dissipation,a 980 nm high-power VCSEL on AlN film passivation layer is fabricated.The analog simulation and analysis on the high-power VCSEL show that the AlN film passivation layer can improve the temperature distribution inside high-power VCSEL,reduce the thermal resistance of VCSEL and enhance the ability of heat dissipation.The AlN film pa... |
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| Keywords: | lasers high-power semiconductor laser vertical-cavity surface-emitting laser AlN film passivation layer |
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