| 电介质膜增强的Goos—Hǎnchen位移的微波测量 |
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| 引用本文： | 李春芳,杨晓燕,段弢,张纪岳.电介质膜增强的Goos—Hǎnchen位移的微波测量[J].中国激光,2006,33(6):53-755. |
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| 作者姓名： | 李春芳 杨晓燕 段弢 张纪岳 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,陕西西安710068 [2]上海大学理学院物理系,上海200444 [3]华中科技大学光电子工程系,湖北武汉430074 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（60377025,60407007）、上海市科委基础研究重点项目（04JC14036）、上海市青年科技启明星跟踪计划（03QMH1405）、上海市教委青年基金（04AC99）和上海市重点学科建设项目（T0104）资助课题. |
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| 摘 要： | 如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜（介质膜的另一侧为折射率更低的介质，如空气），并且恰当选择基底内光束的入射角，使得光束在基底一介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜一空气界面上全反射，那么反射光束的Goos—Hǎnchen（GH）位移在一定条件下会得到共振增强。采用微波技术直接地测量了这种Goos—Hǎnchen位移随电介质膜厚度的变化，测量结果与理论预言吻合得较好。
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| 关 键 词： | Goos—Hǎnchen位移 共振增强 电介质膜 微波测量 |
| 文章编号： | 0258-7025（2006）06-0753-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-23 |
| 修稿时间： | 2006-01-09 |
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