| 退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 郭德双,陈子男,王登魁,唐吉龙,方铉,房丹,林逢源,王新伟,魏志鹏.退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响[J].中国激光,2019(4):124-128. |
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| 作者姓名： | 郭德双 陈子男 王登魁 唐吉龙 方铉 房丹 林逢源 王新伟 魏志鹏 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;长春理工大学材料科学与工程学院 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(2017YFB0402800);国家自然科学基金(61674021;11674038;61704011);吉林省科技发展计划(20160519007JH;20160520117JH;20160204074GX;20170520118JH;20160203015GX);长春理工大学科技创新基金(XJJLG-2016-11;XJJLG-2016-14) |
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| 摘 要： | 研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.841 nm降低至0.738 nm;400℃退火后,薄膜的载流子浓度和迁移率均达到最大值,分别为1.9×1019 cm-3和4.2 cm^2·V-1·s-1,之后随着退火温度进一步升高,载流子浓度和迁移率降低;退火温度由300℃升高到600℃过程中薄膜的吸收边先蓝移后红移。
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| 关 键 词： | 材料 光学性能 电学性能 铝掺杂氧化锌薄膜 退火 原子层沉积技术 |
Effects of Annealing Temperature on Crystal Quality and Photoelectric Properties of Al-Doped ZnO Thin Film |
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| Guo Deshuang,Chen Zinan,Wang Dengkui,Tang Jilong,Fang Xuan,Fang Dan,Lin Fengyuan,Wang Xinwei,Wei Zhipeng.Effects of Annealing Temperature on Crystal Quality and Photoelectric Properties of Al-Doped ZnO Thin Film[J].Chinese Journal of Lasers,2019(4):124-128. |
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| Authors: | Guo Deshuang Chen Zinan Wang Dengkui Tang Jilong Fang Xuan Fang Dan Lin Fengyuan Wang Xinwei Wei Zhipeng |
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| Affiliation: | (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser,Changchun University of Science and Technology,Changchun,Jilin 130022,China;School of Materials Science and Engineering,Changchun University of Science and Technology,Changchun,Jilin 130022,China) |
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| Abstract: | Guo Deshuang;Chen Zinan;Wang Dengkui;Tang Jilong;Fang Xuan;Fang Dan;Lin Fengyuan;Wang Xinwei;Wei Zhipeng(State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser,Changchun University of Science and Technology,Changchun,Jilin 130022,China;School of Materials Science and Engineering,Changchun University of Science and Technology,Changchun,Jilin 130022,China) |
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| Keywords: | materials optical properties electrical properties aluminum-doped ZnO films annealing atomic layer deposition technique |
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