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氧化钒薄膜的制备及其光电特性研究
引用本文:王宏臣,易新建,陈四海,黄光,李雄伟.氧化钒薄膜的制备及其光电特性研究[J].中国激光,2003,30(12):1107-1110.
作者姓名:王宏臣  易新建  陈四海  黄光  李雄伟
作者单位:1. 华中科技大学光电子工程系,湖北,武汉,430074
2. 华中科技大学光电子工程系,湖北,武汉,430074;华中科技大学激光技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074
3. 华中科技大学图像识别与人工智能教育部重点实验室,湖北,武汉,430074
基金项目:国家自然科学基金 (批准号 :6 0 10 6 0 0 3),华中科技大学研究生科技创新基金 (编号 :YCJ 0 2 0 0 3)资助项目
摘    要:采用一种新工艺在Si和Si3 N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜 ,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到 3个数量级 ,红外透过率在相变前后改变达到 6 0 %。

关 键 词:薄膜技术  氧化钒薄膜  温度相变特性  光电特性  微光开关
收稿时间:2002/6/11

Preparation of VO2 Thin Film and Study on Its Optical and Electrical Properties
WANG Hong-chen ,YI Xin-jian ,CHEN Si-hai ,HUANG Guang ,LI Xiong-wei.Preparation of VO2 Thin Film and Study on Its Optical and Electrical Properties[J].Chinese Journal of Lasers,2003,30(12):1107-1110.
Authors:WANG Hong-chen  YI Xin-jian    CHEN Si-hai  HUANG Guang  LI Xiong-wei
Affiliation:WANG Hong-chen 1,YI Xin-jian 1,2,CHEN Si-hai 1,HUANG Guang 3,LI Xiong-wei 1
Abstract:This paper presents a new method of preparation of VO 2 thin film with a good performance and studies its microstructure, optical and electrical properties. The test results show that comparing before and after phase transition, the resistivity changes about 10 3 orders, and the IR transmittance changes up to 60%.
Keywords:thin film technique  VO  2 thin film  temperature-phase transition properties  optoelectric properties  micro-optical switching
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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