| AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的可靠性 |
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| 引用本文： | 冯士维,邓兵,张亚民,等.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的可靠性[J].半导体技术,2014(3):226-232. |
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| 作者姓名： | 冯士维 邓兵 张亚民 等 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61376077,61201046,61204081);北京市自然科学基金资助项目(4132022,4122005);广东省战略性新兴产业项目(2012A08304003);北京工业大学博士生创新基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响。并研究了栅极施加反向直流阶梯应力对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响,结果表明器件在应力作用下电学参数退化,大信号寄生源/漏极电阻RS/RD和栅源正向I-V特性在击穿后能得到恢复。AlGaN势垒层陷阱俘获电子和电子填充栅极表面态是器件参数退化的原因,表面态恢复是器件参数恢复的主要原因。
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| 关 键 词： | 瞬态温升测量 应力 衰退与恢复特性 可靠性 高电子迁移率晶体管(HEMT) |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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