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| 硅低频大功率管制造中出现EB结软击穿问题的讨论 | |
| 引用本文： | 董尧德 ,吴益中 ,金国通 ,蒋继红.硅低频大功率管制造中出现EB结软击穿问题的讨论[J].半导体技术,1983(4). |
| 作者姓名： | 董尧德 吴益中 金国通 蒋继红 |
| 摘 要： | 在3DD15、D7312、DD03等一类硅低频大功率管技术参数中,有一项重要的直流参数,即发射结反向击穿电压BV_(EBO)。EB结反向特性的硬、软和高低,直接影响交、直流讯号的正常放大,按技术指标的规定,一般均要求BV_(EBO)≥5V(测试条件I_B=1mA)且呈硬击穿。根据3DD15、DD03、D7312等一类低频大功率管的工艺结构设计,为了保证器件在大电流工作时也有同样足够的电流放大系数以及有较高的BV_(EBO)、BV_(CEO),我们选取基区浓度N_D=(1～5)×10~(18)cm~(-3),N_(e)=1×10~(21)cm(-3),X_(ic)≈30μm,X_(ie)=15～20μm,实际制得的管子EB反向击穿电压BV(EBO)均能达到12V以上,且 |
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