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稀磁半导体制备方法的研究进展
引用本文:侯志青,刘东州,那木拉.稀磁半导体制备方法的研究进展[J].半导体技术,2014(4):294-299.
作者姓名:侯志青  刘东州  那木拉
作者单位:河北农业大学理学院;
基金项目:保定市科技局基金资助项目(13ZR061);河北省留学回国人员择优资助项目(20120322)
摘    要:稀磁半导体(DMS)是一种新型功能材料,其结合了半导体和磁性材料的电学和磁学性质,具有优异的磁、磁光和磁电等性能,在未来的光电器件、自旋电子器件和计算机等领域具有广阔的开发应用前景。简述了我国稀磁半导体的研究成果及进展,重点讨论了稀磁半导体的制备合成方法,分析了各种制备方法的优缺点,包括分子束外延技术(MBE)、离子注入法、脉冲激光沉积(PLD)、助熔剂法、化学气相沉积(CVD)、溶胶-凝胶和水热法等。同时分析了目前稀磁半导体遇到的问题和困难,探讨了其解决方法,展望了稀磁半导体潜在的应用前景。

关 键 词:稀磁半导体  制备方法  掺杂  居里温度  室温铁磁性
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