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| UV—Hg灯光化学气相淀积SiO2薄膜的工艺研究 | |
| 引用本文： | 景俊海,孙青.UV—Hg灯光化学气相淀积SiO2薄膜的工艺研究[J].半导体技术,1989(5):40-43. |
| 作者姓名： | 景俊海 孙青 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学物理系 (景俊海，孙青)，西安电子科技大学物理系(孙建诚) |
| 摘 要： | 一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用光增强反应气体材料的光激活和光分解,可以在50～300℃条件下形成薄膜.与高温氧化、常压CVD相比,它可以减少温度对杂质分布的影响,降低针孔密度,避免芯片弯曲,抑制工艺中诱发新的缺 |
| 关 键 词： | SiO2 薄膜 UV－Hg灯 化学 气相淀积 |
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