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| 化学生成的Si／SiO2系统在超高真空中的退火研究 | |
| 引用本文： | 徐士杰,龚彬.化学生成的Si／SiO2系统在超高真空中的退火研究[J].半导体技术,1989(5):48-50. |
| 作者姓名： | 徐士杰 龚彬 |
| 作者单位： | 西安交通大学电子系 (徐士杰，龚彬)，西安交通大学电子系(王荣新) |
| 摘 要： | 用AES详细观测了化学生成Si/S_1O_2系统在超高真空(UHV)中的退火变化.并对收录的俄歇直接谱进行了快速傅里叶变换(FET)退自卷积处理,得到了Si态密度退火前后的变化情况.最后,对退火效应进行了分析和讨论. |
| 关 键 词： | 化学生成 Si／SiO2真空 退火 |
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