| GaAs微结构中共振隧穿薄膜介观压阻效应研究 |
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| 引用本文： | 王建,张文栋,薛晨阳,熊继军,张斌珍.GaAs微结构中共振隧穿薄膜介观压阻效应研究[J].半导体技术,2006,31(9):702-705. |
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| 作者姓名： | 王建 张文栋 薛晨阳 熊继军 张斌珍 |
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| 作者单位： | 中北大学,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原,030051 |
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| 摘 要： | 设计并利用控制孔技术加工了GaAs基微结构和基于该微结构的共振隧穿薄膜,并通过实验研究了微结构中共振隧穿薄膜的介观压阻效应,试验结果表明其介观压阻灵敏度比硅的最大压阻灵敏度高一个数量级.
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| 关 键 词： | 共振隧穿薄膜 介观压阻效应 砷化镓基微结构 GaAs 微结构 共振隧穿 薄膜 介观 压阻灵敏度 效应研究 Film Tunneling Resonant Effect 灵敏度比 结果 试验 压阻效应 实验 技术加工 制孔 利用 设计 |
| 文章编号： | 1003-353X(2006)09-0702-04 |
| 收稿时间： | 2006-02-14 |
| 修稿时间： | 2006年2月14日 |
Study on the Meso-Piezoresistive Effect of Resonant Tunneling Film in GaAs Micro-Structure |
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| WANG Jian,ZHANG Wen-dong,XUE Chen-yang,XIONG Ji-jun,ZHANG Bin-zhen.Study on the Meso-Piezoresistive Effect of Resonant Tunneling Film in GaAs Micro-Structure[J].Semiconductor Technology,2006,31(9):702-705. |
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| Authors: | WANG Jian ZHANG Wen-dong XUE Chen-yang XIONG Ji-jun ZHANG Bin-zhen |
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| Abstract: | The GaAs micro-structure and the resonant tunneling film based on the micro-structure were designed and processed by control hole technology. And the meso-piezoresistive effects of the film were studied through experiments, more than one order higher piezoresistive sensitivity than that of silicon is demonstrated. |
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| Keywords: | resonant tunneling film meso-piezoresistive effect GaAs micro-structure |
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